NTD4808N-1G ONSEMI
Hersteller: ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4808N-1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 0.0067 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54.6W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 6655 Stücke:
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Technische Details NTD4808N-1G ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD4808N-1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 0.0067 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54.6W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote NTD4808N-1G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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NTD4808N-1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 10A/63A IPAK |
auf Bestellung 1030 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTD4808N-1G | Hersteller : onsemi |
MOSFET NFET 30V 63A 8MOHM |
auf Bestellung 16703 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTD4808N-1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 126A; 54.6W; IPAK Mounting: THT Case: IPAK Drain-source voltage: 30V Drain current: 49A On-state resistance: 10.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 54.6W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 11.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 126A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NTD4808N-1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 126A; 54.6W; IPAK Mounting: THT Case: IPAK Drain-source voltage: 30V Drain current: 49A On-state resistance: 10.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 54.6W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 11.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 126A |
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