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NTD4858NT4G

NTD4858NT4G ON Semiconductor

ntd4858n-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details NTD4858NT4G ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 73A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1563 pF @ 12 V.

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NTD4858NT4G NTD4858NT4G Hersteller : onsemi ntd4858n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1563 pF @ 12 V
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NTD4858NT4G NTD4858NT4G Hersteller : onsemi NTD4858N_D-2318560.pdf MOSFET NFET 25V 73A 0.0062R DPAK
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NTD4858NT4G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013300772-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTD4858NT4G - MOSFET, N CHANNEL, 25V, 14A, TO-252-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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NTD4858NT4G Hersteller : ONSEMI ntd4858n-d.pdf b7034aa9e89ac466bfc2736ad0988ce9.pdf NTD4858NT4G SMD N channel transistors
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NTD4858NT4G NTD4858NT4G Hersteller : onsemi ntd4858n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1563 pF @ 12 V
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NTD4858NT4G NTD4858NT4G Hersteller : onsemi ntd4858n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1563 pF @ 12 V
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NTD4858NT4G NTD4858NT4G Hersteller : UMW b7034aa9e89ac466bfc2736ad0988ce9.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
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NTD4858NT4G NTD4858NT4G Hersteller : UMW b7034aa9e89ac466bfc2736ad0988ce9.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
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