NTD4860N-1G onsemi
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 10.4A/65A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.28W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1308 pF @ 12 V
| Anzahl | Privatkunde |
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Technische Details NTD4860N-1G onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 10.4A/65A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta), 65A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.28W (Ta), 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1308 pF @ 12 V.
Weitere Produktangebote NTD4860N-1G nach Preis ab 0.56 EUR bis 0.56 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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NTD4860N-1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 8475 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTD4860N-1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH 25V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 8475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 1196+ | 0.56 EUR |