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NTD6416ANT4G

NTD6416ANT4G ON Semiconductor

ntd6416an-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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Technische Details NTD6416ANT4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTD6416ANT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.073 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 71W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTD6416ANT4G NTD6416ANT4G ON Semiconductor ntd6416an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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auf Bestellung 710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
201+0.87 EUR
203+0.84 EUR
205+0.82 EUR
250+0.8 EUR
500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 201 Stücke
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NTD6416ANT4G NTD6416ANT4G ON Semiconductor ntd6416an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
193+0.9 EUR
204+0.8 EUR
206+0.76 EUR
250+0.73 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 193 Stücke
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NTD6416ANT4G NTD6416ANT4G onsemi ntd6416an-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.92 EUR
5000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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NTD6416ANT4G NTD6416ANT4G ON Semiconductor ntd6416an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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NTD6416ANT4G NTD6416ANT4G ON Semiconductor ntd6416an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+2.13 EUR
250+1.33 EUR
1000+1.05 EUR
2500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
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NTD6416ANT4G NTD6416ANT4G onsemi ntd6416an-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
auf Bestellung 10867 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.37 EUR
13+1.69 EUR
100+1.26 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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NTD6416ANT4G NTD6416ANT4G ONSEMI ntd6416an-d.pdf Description: ONSEMI - NTD6416ANT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.073 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2969 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.42 EUR
143+1.51 EUR
500+1.23 EUR
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NTD6416ANT4G NTD6416ANT4G onsemi ntd6416an-d.pdf MOSFETs NFET DPAK 100V 19A 96MO
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NTD6416ANT4G NTD6416ANT4G ONSEMI ntd6416an-d.pdf Description: ONSEMI - NTD6416ANT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.073 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2969 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+4.25 EUR
97+2.42 EUR
143+1.51 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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201+0.87 EUR
203+0.84 EUR
205+0.82 EUR
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auf Bestellung 710 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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204+0.8 EUR
206+0.76 EUR
250+0.73 EUR
500+0.69 EUR
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NTD6416ANT4G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
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Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
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Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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2500+1.04 EUR
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auf Bestellung 4500 Stücke:
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82+2.13 EUR
250+1.33 EUR
1000+1.05 EUR
2500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
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Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
auf Bestellung 10867 Stücke:
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9+2.37 EUR
13+1.69 EUR
100+1.26 EUR
500+1.13 EUR
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NTD6416ANT4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD6416ANT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.073 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2969 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.42 EUR
143+1.51 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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NTD6416ANT4G
Hersteller: onsemi
MOSFETs NFET DPAK 100V 19A 96MO
auf Bestellung 28645 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.44 EUR
10+2.12 EUR
100+1.42 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.04 EUR
2500+0.93 EUR
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD6416ANT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.073 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2969 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
59+4.25 EUR
97+2.42 EUR
143+1.51 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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