NTDS015N15MCT4G ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTDS015N15MCT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.0118 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0118ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.65 EUR |
| 500+ | 2.09 EUR |
| 1000+ | 1.95 EUR |
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Technische Details NTDS015N15MCT4G ONSEMI
Description: ONSEMI - NTDS015N15MCT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.0118 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 83W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 83W, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0118ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm.
Weitere Produktangebote NTDS015N15MCT4G nach Preis ab 1.69 EUR bis 6.07 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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NTDS015N15MCT4G | onsemi |
MOSFET PTNG 150V 15MOHM DPAK |
auf Bestellung 2357 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTDS015N15MCT4G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 11A/50A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 162µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 75 V |
auf Bestellung 1334 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTDS015N15MCT4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTDS015N15MCT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.0118 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 83W SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm |
auf Bestellung 1575 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTDS015N15MCT4G |
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Hersteller: onsemi
MOSFET PTNG 150V 15MOHM DPAK
MOSFET PTNG 150V 15MOHM DPAK
auf Bestellung 2357 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.33 EUR |
| 10+ | 3.89 EUR |
| 100+ | 3.14 EUR |
| 500+ | 2.57 EUR |
| 1000+ | 2.14 EUR |
| 2500+ | 2.05 EUR |
| 5000+ | 2.01 EUR |
| NTDS015N15MCT4G |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 11A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 162µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 75 V
Description: MOSFET N-CH 150V 11A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 162µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 75 V
auf Bestellung 1334 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 5.07 EUR |
| 10+ | 3.28 EUR |
| 100+ | 2.26 EUR |
| 500+ | 1.83 EUR |
| 1000+ | 1.69 EUR |
| NTDS015N15MCT4G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTDS015N15MCT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.0118 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 150V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm
Description: ONSEMI - NTDS015N15MCT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.0118 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm
auf Bestellung 1575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 42+ | 6.07 EUR |
| 69+ | 3.37 EUR |
| 100+ | 2.65 EUR |
| 500+ | 2.09 EUR |
| 1000+ | 1.95 EUR |