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NTE102A NTE Electronics, Inc

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Description: TRANS PNP 1A TO1

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Technische Details NTE102A NTE Electronics, Inc

Description: NTE ELECTRONICS - NTE102A - TRANSISTOR, PNP, 1A, TO-1, Transistormontage: Through Hole, DC-Stromverstärkung hFE: 63, Verlustleistung Pd: 650, Übergangsfrequenz ft: -, Bauform - Transistor: TO-1, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 999, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 1, Betriebstemperatur, max.: 90, SVHC: No SVHC (16-Jul-2019).

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
	NTE102A	NTE ELECTRONICS	Description: NTE ELECTRONICS - NTE102A - TRANSISTOR, PNP, 1A, TO-1 Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 63 Verlustleistung Pd: 650 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-1 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 999 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 1 Betriebstemperatur, max.: 90 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
	NTE102A	NTE Electronics, Inc.	Trans GP BJT PNP 1A 3-Pin TO-1	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTE102A

Hersteller: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE102A - TRANSISTOR, PNP, 1A, TO-1
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 63
Verlustleistung Pd: 650
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-1
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 999
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 1
Betriebstemperatur, max.: 90
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)

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NTE102A

Hersteller: NTE Electronics, Inc.
Trans GP BJT PNP 1A 3-Pin TO-1

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