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NTE128

NTE128 NTE Electronics, Inc

nte128.pdf
Hersteller: NTE Electronics, Inc
Description: TRANS NPN 80V 1A TO39
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TO-39
Frequency - Transition: 400MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bag
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+5.07 EUR
10+4.82 EUR
20+4.57 EUR
50+4.32 EUR
100+4.21 EUR
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Technische Details NTE128 NTE Electronics, Inc

Description: TRANS NPN 80V 1A TO39, Power - Max: 800 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Supplier Device Package: TO-39, Frequency - Transition: 400MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Packaging: Bag.

Weitere Produktangebote NTE128 nach Preis ab 3.51 EUR bis 18.25 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTE128 NTE128 NTE Electronics, Inc. nte128.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+18.25 EUR
27+6.51 EUR
50+4.12 EUR
100+3.51 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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NTE128 NTE128 NTE ELECTRONICS 198508.pdf Description: NTE ELECTRONICS - NTE128 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 800 mW, TO-39, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 300
MSL: -
Verlustleistung Pd: 800
Übergangsfrequenz ft: 400
Bauform - Transistor: TO-39
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
auf Bestellung 3 Stücke:
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Hersteller: NTE Electronics, Inc.
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39
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Hersteller: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE128 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 800 mW, TO-39, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 300
MSL: -
Verlustleistung Pd: 800
Übergangsfrequenz ft: 400
Bauform - Transistor: TO-39
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
auf Bestellung 3 Stücke:
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