NTE128 NTE Electronics, Inc
Hersteller: NTE Electronics, Inc
Description: TRANS NPN 80V 1A TO39
Packaging: Bag
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 5.07 EUR |
| 10+ | 4.82 EUR |
| 20+ | 4.57 EUR |
| 50+ | 4.32 EUR |
| 100+ | 4.21 EUR |
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Technische Details NTE128 NTE Electronics, Inc
Description: TRANS NPN 80V 1A TO39, Packaging: Bag, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Frequency - Transition: 400MHz, Supplier Device Package: TO-39, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 800 mW.
Weitere Produktangebote NTE128 nach Preis ab 3.56 EUR bis 18.47 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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NTE128 | NTE Electronics, Inc. |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39 |
auf Bestellung 640 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE128 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE128 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 800 mW, TO-39, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 300 MSL: - Verlustleistung Pd: 800 Übergangsfrequenz ft: 400 Bauform - Transistor: TO-39 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 1 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NTE128 |
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Hersteller: NTE Electronics, Inc.
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 18.47 EUR |
| 27+ | 6.58 EUR |
| 50+ | 4.16 EUR |
| 100+ | 3.56 EUR |
| NTE128 |
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Hersteller: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE128 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 800 mW, TO-39, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 300
MSL: -
Verlustleistung Pd: 800
Übergangsfrequenz ft: 400
Bauform - Transistor: TO-39
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE128 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 800 mW, TO-39, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 300
MSL: -
Verlustleistung Pd: 800
Übergangsfrequenz ft: 400
Bauform - Transistor: TO-39
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)