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NTE160 NTE Electronics, Inc

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Description: T-PNP GE-RF/IF AMP

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Technische Details NTE160 NTE Electronics, Inc

Description: NTE ELECTRONICS - NTE160 - RF TRANSISTOR, PNP, -16V, 700MHZ, TO-72, Transistormontage: Through Hole, DC-Stromverstärkung hFE: 50, Verlustleistung Pd: 60, Bauform - HF-Transistor: TO-72, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 16, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 10, Übergangsfrequenz: 700, Betriebstemperatur, max.: 90, SVHC: No SVHC (16-Jul-2019).

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
	NTE160	NTE ELECTRONICS	Description: NTE ELECTRONICS - NTE160 - RF TRANSISTOR, PNP, -16V, 700MHZ, TO-72 Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 50 Verlustleistung Pd: 60 Bauform - HF-Transistor: TO-72 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 16 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 10 Übergangsfrequenz: 700 Betriebstemperatur, max.: 90 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTE160

Hersteller: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE160 - RF TRANSISTOR, PNP, -16V, 700MHZ, TO-72
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 50
Verlustleistung Pd: 60
Bauform - HF-Transistor: TO-72
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 16
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 10
Übergangsfrequenz: 700
Betriebstemperatur, max.: 90
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)

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