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NTE2355

NTE2355 NTE Electronics, Inc

nte2355.pdf
Hersteller: NTE Electronics, Inc
Description: T-NPN SI W/10K RESISTOR
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92S
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
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Technische Details NTE2355 NTE Electronics, Inc

Description: T-NPN SI W/10K RESISTOR, Packaging: Bag, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: TO-92S, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 300 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTE2355 NTE2355 NTE ELECTRONICS NTEES00959-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NTE ELECTRONICS - NTE2355 - PRE-BIASED DIG TRANSISTOR, 50V, TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 50
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 300
Übergangsfrequenz ft: 250
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2355 NTE2355 NTE Electronics, Inc. nte2355.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 200mA 3-Pin TO-92
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NTE2355 NTEES00959-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTE2355
Hersteller: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2355 - PRE-BIASED DIG TRANSISTOR, 50V, TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 50
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 300
Übergangsfrequenz ft: 250
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
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NTE2355
Hersteller: NTE Electronics, Inc.
Trans Digital BJT NPN 50V 200mA 3-Pin TO-92
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