NTE2380 NTE Electronics
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 40W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 40W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
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Technische Details NTE2380 NTE Electronics
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 40W; TO220, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 2.5A, Pulsed drain current: 10A, Power dissipation: 40W, Case: TO220, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 4Ω, Mounting: THT, Kind of channel: enhancement.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NTE2380 | NTE Electronics, Inc |
Description: MOSFET N-CHANNEL 500V 2.5A TO220 |
auf Bestellung 1578 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NTE2380 |
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Hersteller: NTE Electronics, Inc
Description: MOSFET N-CHANNEL 500V 2.5A TO220
Description: MOSFET N-CHANNEL 500V 2.5A TO220
auf Bestellung 1578 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)