NTE2380 NTE Electronics
Hersteller: NTE ElectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 40W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 40W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 71.5 EUR |
| 3+ | 23.84 EUR |
| 10+ | 7.15 EUR |
| 25+ | 5.18 EUR |
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Technische Details NTE2380 NTE Electronics
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 40W; TO220, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 2.5A, Pulsed drain current: 10A, Power dissipation: 40W, Case: TO220, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 4Ω, Mounting: THT, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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NTE2380 | Hersteller : NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 40W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 40W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE2380 | Hersteller : NTE Electronics, Inc |
Description: MOSFET N-CHANNEL 500V 2.5A TO220 |
auf Bestellung 1578 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTE2380 | Hersteller : NTE Electronics, Inc. |
Trans MOSFET N-CH Si 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
auf Bestellung 455 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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