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NTE2388

NTE2388 NTE Electronics, Inc

nte2388.pdf
Hersteller: NTE Electronics, Inc
Description: MOSFET N-CHANNEL 200V 18A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bag
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Technische Details NTE2388 NTE Electronics, Inc

Description: MOSFET N-CHANNEL 200V 18A TO220, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Bag.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTE2388 NTE2388 NTE Electronics nte2388.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
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NTE2388 NTE2388 NTE ELECTRONICS 1917515.pdf Description: NTE ELECTRONICS - NTE2388 - N CHANNEL MOSFET, 200V, 18A, TO-220
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 18
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 125
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
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NTE2388 NTE2388 NTE Electronics, Inc. nte2388.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220
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NTE2388 nte2388.pdf
NTE2388
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
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NTE2388
Hersteller: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2388 - N CHANNEL MOSFET, 200V, 18A, TO-220
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 18
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 125
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
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NTE2388 nte2388.pdf
NTE2388
Hersteller: NTE Electronics, Inc.
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220
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