NTE2905 NTE Electronics
Hersteller: NTE ElectronicsCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; Idm: -48A; 150W; TO247
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.5A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 13+ | 5.55 EUR |
| 15+ | 4.99 EUR |
| 17+ | 4.40 EUR |
| 18+ | 4.20 EUR |
| 25+ | 4.05 EUR |
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Technische Details NTE2905 NTE Electronics
Category: THT P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; Idm: -48A; 150W; TO247, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -200V, Drain current: -7.5A, Pulsed drain current: -48A, Power dissipation: 150W, Case: TO247, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.5Ω, Mounting: THT, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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NTE2905 | Hersteller : NTE Electronics |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; Idm: -48A; 150W; TO247 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -7.5A Pulsed drain current: -48A Power dissipation: 150W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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