NTE2905 NTE Electronics
Hersteller: NTE ElectronicsCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; Idm: -48A; 150W; TO247
Polarisation: unipolar
Case: TO247
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -200V
Pulsed drain current: -48A
Drain current: -7.5A
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 150W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 18+ | 4.02 EUR |
| 19+ | 3.86 EUR |
| 25+ | 3.73 EUR |
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Technische Details NTE2905 NTE Electronics
Category: THT P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; Idm: -48A; 150W; TO247, Polarisation: unipolar, Case: TO247, Kind of channel: enhancement, Mounting: THT, Type of transistor: P-MOSFET, Drain-source voltage: -200V, Pulsed drain current: -48A, Drain current: -7.5A, On-state resistance: 0.5Ω, Power dissipation: 150W, Gate-source voltage: ±20V, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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NTE2905 | Hersteller : NTE Electronics |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; Idm: -48A; 150W; TO247 Polarisation: unipolar Case: TO247 Kind of channel: enhancement Mounting: THT Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -200V Pulsed drain current: -48A Drain current: -7.5A On-state resistance: 0.5Ω Power dissipation: 150W Gate-source voltage: ±20V |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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