NTE2905 NTE Electronics
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; Idm: -48A; 150W; TO247
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.5A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -48A
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Technische Details NTE2905 NTE Electronics
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2905 - MOSFET, P CHANNEL, -200V, 0.5OHM, -12A,, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 200, Dauer-Drainstrom Id: 12, Qualifikation: -, Verlustleistung Pd: 150, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2, Verlustleistung: 150, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: P Channel, Kanaltyp: P Channel, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote NTE2905
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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NTE2905 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2905 - MOSFET, P CHANNEL, -200V, 0.5OHM, -12A, Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 12 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 150 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 Verlustleistung: 150 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: P Channel Kanaltyp: P Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5 SVHC: To Be Advised |
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| NTE2905 |
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Hersteller: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2905 - MOSFET, P CHANNEL, -200V, 0.5OHM, -12A,
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: P Channel
Kanaltyp: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5
SVHC: To Be Advised
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2905 - MOSFET, P CHANNEL, -200V, 0.5OHM, -12A,
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: P Channel
Kanaltyp: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5
SVHC: To Be Advised
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