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NTE2987

NTE2987 NTE Electronics

nte2987.pdf Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14A; Idm: 80A; 105W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 105W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
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Technische Details NTE2987 NTE Electronics

Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO220, Packaging: Bag, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 10A, 5V, FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive, Power Dissipation (Max): 105W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V.

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NTE2987 NTE2987 Hersteller : NTE Electronics nte2987.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14A; Idm: 80A; 105W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 105W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
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NTE2987 NTE2987 Hersteller : NTE Electronics, Inc nte2987.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO220
Packaging: Bag
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 10A, 5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
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NTE2987 NTE2987 Hersteller : NTE Electronics, Inc. nte2987.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220
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NTE2987 NTE2987 Hersteller : NTE Electronics, Inc. nte2987.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220
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NTE2987 NTE2987 Hersteller : NTE Electronics, Inc. nte2987.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220
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