NTE2995 NTE Electronics
Hersteller: NTE ElectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A; 115W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 115W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 5+ | 14.3 EUR |
| 8+ | 8.94 EUR |
| 25+ | 5.33 EUR |
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Technische Details NTE2995 NTE Electronics
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A; 115W; TO220, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 5.7A, Pulsed drain current: 36A, Power dissipation: 115W, Case: TO220, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.65Ω, Mounting: THT, Kind of channel: enhancement, Version: ESD, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||
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NTE2995 | Hersteller : NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A; 115W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5.7A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 115W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.65Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Version: ESD |
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