NTE5809

NTE5809 NTE Electronics, Inc


nte5800_09.pdf Hersteller: NTE Electronics, Inc
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO27
Packaging: Bag
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9.4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 1000 V
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Technische Details NTE5809 NTE Electronics, Inc

Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO27, Packaging: Bag, Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: DO-27, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9.4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 1000 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NTE5809 NTE5809 Hersteller : NTE ELECTRONICS 1483202.pdf Description: NTE ELECTRONICS - NTE5809 - STANDARD DIODE, 3A, 1.2KV, DO-27
Bauform - Diode: DO-27
Durchlassstoßstrom: 200
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.4
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
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