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NTF6P02T3G

NTF6P02T3G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details NTF6P02T3G ON Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 20V 10A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 16 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTF6P02T3G NTF6P02T3G ON Semiconductor ntf6p02t3-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 10A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NTF6P02T3G NTF6P02T3G onsemi ntf6p02t3-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 10A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 16 V
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NTF6P02T3G NTF6P02T3G onsemi ntf6p02t3-d.pdf MOSFETs -20V -6A P-Channel
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