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NTGD1100LT1G

NTGD1100LT1G onsemi


ntgd1100l-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: IC PWR DRIVER P-CHAN 1:1 6TSOP
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Technische Details NTGD1100LT1G onsemi

Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 8V; 2.4A; Idm: 10A; 430mW; TSOP6, Type of transistor: N/P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 8V, Drain current: 2.4A, Pulsed drain current: 10A, Power dissipation: 0.43W, Case: TSOP6, Gate-source voltage: ±8V, On-state resistance: 40mΩ, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NTGD1100LT1G Hersteller : ON ntgd1100l-d.pdf 08+ DIP
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NTGD1100LT1G
Produktcode: 187236
ntgd1100l-d.pdf IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: TSOP-6
Bemerkung: MOSFET 8V +/-3.3A P-Channel w/Level Shift
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NTGD1100LT1G NTGD1100LT1G Hersteller : ON Semiconductor ntgd1100l-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 8V 3.3A 6-Pin SC-74 T/R
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NTGD1100LT1G Hersteller : ONSEMI ntgd1100l-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 8V; 2.4A; Idm: 10A; 430mW; TSOP6
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 0.43W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 0.43W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
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