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NTGD4169FT1G

NTGD4169FT1G onsemi

ntgd4169f-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 2.6A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -25°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V
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Technische Details NTGD4169FT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 2.6A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -25°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 4.5V, FET Feature: Schottky Diode (Isolated), Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTGD4169FT1G NTGD4169FT1G ON Semiconductor ntgd4169f-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-Pin TSOP T/R
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NTGD4169FT1G NTGD4169FT1G ONSEMI ONSM-S-A0013300710-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTGD4169FT1G - NTGD4169FT1G, SINGLE MOSFETS
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productTraceability: No
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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