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NTGS3130NT1G

NTGS3130NT1G onsemi


NTGS3130N_D-2318621.pdf Hersteller: onsemi
MOSFET POWER MOSFET 20V 5.6A SNGL CH
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Technische Details NTGS3130NT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 20V 4.23A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.23A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.6A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 600mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 935 pF @ 16 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NTGS3130NT1G NTGS3130NT1G Hersteller : onsemi ntgs3130n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.23A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 935 pF @ 16 V
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NTGS3130NT1G Hersteller : ONSEMI ntgs3130n-d.pdf NTGS3130NT1G SMD N channel transistors
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NTGS3130NT1G NTGS3130NT1G Hersteller : onsemi ntgs3130n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.23A 6TSOP
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Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3 nC @ 4.5 V
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