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NTGS3441T1G

NTGS3441T1G onsemi

ntgs3441t1-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1.65A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.65A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details NTGS3441T1G onsemi

Description: MOSFET P-CH 20V 1.65A 6TSOP, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 5 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 6-TSOP, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.65A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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Mounting Type: Surface Mount
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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