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NTHL019N65S3H

NTHL019N65S3H onsemi

NTHL019N65S3H_D-2037193.pdf Hersteller: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 75 A, 19.3 mohm, TO-247
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Technische Details NTHL019N65S3H onsemi

Description: ONSEMI - NTHL019N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.015 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625W, Bauform - Transistor: TO-247LL, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NTHL019N65S3H NTHL019N65S3H Hersteller : onsemi nthl019n65s3h-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.3mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14.3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 282 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15993 pF @ 400 V
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NTHL019N65S3H NTHL019N65S3H Hersteller : ONSEMI NTHL019N65S3H-D.PDF Description: ONSEMI - NTHL019N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.015 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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NTHL019N65S3H NTHL019N65S3H Hersteller : ON Semiconductor nthl019n65s3h-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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NTHL019N65S3H NTHL019N65S3H Hersteller : ON Semiconductor nthl019n65s3h-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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NTHL019N65S3H Hersteller : ONSEMI nthl019n65s3h-d.pdf NTHL019N65S3H THT N channel transistors
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