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NTHL041N60S5H

NTHL041N60S5H ON Semiconductor

nthl041n60s5h-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details NTHL041N60S5H ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTHL041N60S5H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 57 A, 0.0328 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 57A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 329W, Bauform - Transistor: TO-247LL, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET V FAST, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0328ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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NTHL041N60S5H NTHL041N60S5H Hersteller : onsemi nthl041n60s5h-d.pdf Description: NTHL041N60S5H
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 28.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5840 pF @ 400 V
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2+14.78 EUR
10+11.53 EUR
30+10.58 EUR
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NTHL041N60S5H NTHL041N60S5H Hersteller : onsemi nthl041n60s5h-d.pdf MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FAST, 600 V, 57 A, 41 mohm, TO-247
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1+14.91 EUR
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NTHL041N60S5H NTHL041N60S5H Hersteller : ONSEMI 3409757.pdf Description: ONSEMI - NTHL041N60S5H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 57 A, 0.0328 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 329W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET V FAST
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0328ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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NTHL041N60S5H Hersteller : Aptina Imaging nthl041n60s5h-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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NTHL041N60S5H Hersteller : ONSEMI nthl041n60s5h-d.pdf NTHL041N60S5H THT N channel transistors
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NTHL041N60S5H
Produktcode: 205327
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