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NTHL050N65S3HF

NTHL050N65S3HF onsemi

NTHL050N65S3HF-D.PDF Hersteller: onsemi
MOSFETs SF3 650V 50MOHM
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Technische Details NTHL050N65S3HF onsemi

Description: MOSFET N-CH 650V 58A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 29A, 10V, Power Dissipation (Max): 378W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.7mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5017 pF @ 400 V.

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NTHL050N65S3HF NTHL050N65S3HF Hersteller : onsemi nthl050n65s3hf-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 58A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 378W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5017 pF @ 400 V
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NTHL050N65S3HF NTHL050N65S3HF Hersteller : ON Semiconductor nthl050n65s3hf-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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NTHL050N65S3HF NTHL050N65S3HF Hersteller : ON Semiconductor nthl050n65s3hf-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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