NTHL065N65S3HF onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 337W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4075 pF @ 400 V
auf Bestellung 16179 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 2+ | 25.71 EUR |
| 30+ | 20.81 EUR |
| 120+ | 19.59 EUR |
| 510+ | 17.75 EUR |
| 1020+ | 16.28 EUR |
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Technische Details NTHL065N65S3HF onsemi
Description: ONSEMI - NTHL065N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.054 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 337W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 337W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote NTHL065N65S3HF nach Preis ab 19.81 EUR bis 31.41 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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NTHL065N65S3HF | Hersteller : onsemi |
MOSFET SF3 FRFET HF VERSION, 65MOHM, TO-247 |
auf Bestellung 457 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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NTHL065N65S3HF | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTHL065N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.054 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 337W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 337W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 136 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHL065N65S3HF | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 369 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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NTHL065N65S3HF | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTHL065N65S3HF | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 46A Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NTHL065N65S3HF | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 115A; 337W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 30A Pulsed drain current: 115A Power dissipation: 337W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 54mΩ Mounting: THT Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NTHL065N65S3HF | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 115A; 337W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 30A Pulsed drain current: 115A Power dissipation: 337W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 54mΩ Mounting: THT Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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