NTHL082N65S3HF onsemi
Hersteller: onsemiMOSFETs MOSFET, Power, N-Channel, SUPERFET III, FRFET, 650 V, 40 A, 82 mohm, TO-247
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| 1+ | 14.98 EUR |
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| 510+ | 7.39 EUR |
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Technische Details NTHL082N65S3HF onsemi
Description: ONSEMI - NTHL082N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 313W, Bauform - Transistor: TO-247LL, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NTHL082N65S3HF nach Preis ab 7.14 EUR bis 15.45 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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NTHL082N65S3HF | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 40A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 400 V |
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NTHL082N65S3HF | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTHL082N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 313W Bauform - Transistor: TO-247LL Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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| NTHL082N65S3HF | Hersteller : ON Semiconductor |
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NTHL082N65S3HF Produktcode: 182440
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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NTHL082N65S3HF | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 40A Tube |
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NTHL082N65S3HF | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NTHL082N65S3HF | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 100A; 313W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 40A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 313W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 82mΩ Mounting: THT Gate charge: 79nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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