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NTJD1155LT1G

NTJD1155LT1G ON Semiconductor

ntjd1155l-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Power Switch Hi Side 1-OUT 1A 0.26Ohm 6-Pin SC-88 T/R
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Technische Details NTJD1155LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTJD1155LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 8 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.13 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 8V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.13ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 400mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 8V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-88, Anzahl der Pins: 6Pins, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 400mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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NTJD1155LT1G NTJD1155LT1G Hersteller : ON Semiconductor ntjd1155l-d.pdf Power Switch Hi Side 1-OUT 1A 0.26Ohm 6-Pin SC-88 T/R
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NTJD1155LT1G NTJD1155LT1G Hersteller : onsemi ntjd1155l-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
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NTJD1155LT1G NTJD1155LT1G Hersteller : ONSEMI NTJD1155L.PDF Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC88
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SC88
On-state resistance: 130/320mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.8...8V DC
Control voltage: 1.5...8V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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280+ 0.26 EUR
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NTJD1155LT1G NTJD1155LT1G Hersteller : ONSEMI NTJD1155L.PDF Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC88
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SC88
On-state resistance: 130/320mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.8...8V DC
Control voltage: 1.5...8V DC
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NTJD1155LT1G NTJD1155LT1G Hersteller : onsemi ntjd1155l-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
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NTJD1155LT1G NTJD1155LT1G Hersteller : onsemi NTJD1155L_D-2318600.pdf MOSFET 8V +/-1.3A P-Channel w/Level Shift
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NTJD1155LT1G NTJD1155LT1G Hersteller : ONSEMI ntjd1155l-d.pdf Description: ONSEMI - NTJD1155LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 8 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.13ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 8V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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NTJD1155LT1G NTJD1155LT1G Hersteller : ONSEMI 1789505.pdf Description: ONSEMI - NTJD1155LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 8 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.3A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 8V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.13ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 8V
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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NTJD1155LT1G NTJD1155LT1G Hersteller : ON Semiconductor ntjd1155l-d.pdf Power Switch Hi Side 1-OUT 1A 0.26Ohm 6-Pin SC-88 T/R
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NTJD1155LT1G Hersteller : ON-Semicoductor ntjd1155l-d.pdf Transistor N/P-Channel MOSFET; 8V; 8V; 320mOhm; 1,3A; 400mW; -55°C ~ 150°C; NTJD1155LT1G NTJD1155L TNTJD1155l
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Anzahl Preis ohne MwSt
50+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 50
NTJD1155LT1G  Hersteller : ON 09+
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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