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NTJD1155LT2G

NTJD1155LT2G onsemi

ntjd1155l-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 8V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
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Technische Details NTJD1155LT2G onsemi

Description: MOSFET N/P-CH 8V SC88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 400mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active.

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NTJD1155LT2G NTJD1155LT2G Hersteller : onsemi NTJD1155L_D-2318600.pdf MOSFET NFET SC88 8V 1.3A 175mOhm
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NTJD1155LT2G NTJD1155LT2G Hersteller : onsemi ntjd1155l-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 8V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
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