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NTJD4001NT1G

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Produktcode: 192092
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTJD4001NT1G NTJD4001NT1G ON Semiconductor ntjd4001n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 309000 Stücke:
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NTJD4001NT1G NTJD4001NT1G ON Semiconductor ntjd4001n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R
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NTJD4001NT1G NTJD4001NT1G ONSEMI ntjd4001n-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.272W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Drain current: 0.18A
On-state resistance: 1.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
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152+0.56 EUR
197+0.43 EUR
227+0.38 EUR
321+0.26 EUR
374+0.23 EUR
538+0.15 EUR
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NTJD4001NT1G NTJD4001NT1G ON Semiconductor ntjd4001n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 9460 Stücke:
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376+0.45 EUR
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678+0.23 EUR
684+0.21 EUR
692+0.2 EUR
1027+0.13 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 298 Stücke
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NTJD4001NT1G NTJD4001NT1G onsemi ntjd4001n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 1052 Stücke:
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26+0.82 EUR
42+0.5 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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NTJD4001NT1G NTJD4001NT1G onsemi ntjd4001n-d.pdf MOSFETs 30V 250mA Dual N-Channel
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10+0.51 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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NTJD4001NT1G NTJD4001NT1G ONSEMI ntjd4001n-d.pdf Description: ONSEMI - NTJD4001NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 250 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 272mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 6595 Stücke:
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239+1.05 EUR
404+0.57 EUR
618+0.35 EUR
834+0.26 EUR
1500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
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NTJD4001NT1G ntjd4001n-d.pdf
NTJD4001NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 309000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NTJD4001NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 309000 Stücke:
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NTJD4001NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 9460 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 1174 Stücke
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NTJD4001NT1G ntjd4001n-d.pdf
NTJD4001NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 174000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.14 EUR
9000+0.13 EUR
24000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NTJD4001NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 174000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.14 EUR
9000+0.13 EUR
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NTJD4001NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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NTJD4001NT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.272W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Drain current: 0.18A
On-state resistance: 1.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 1789 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
152+0.56 EUR
197+0.43 EUR
227+0.38 EUR
321+0.26 EUR
374+0.23 EUR
538+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
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NTJD4001NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 9460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
298+0.58 EUR
376+0.45 EUR
380+0.43 EUR
678+0.23 EUR
684+0.21 EUR
692+0.2 EUR
1027+0.13 EUR
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Mindestbestellmenge: 298 Stücke
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NTJD4001NT1G ntjd4001n-d.pdf
NTJD4001NT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 1052 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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42+0.5 EUR
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NTJD4001NT1G
Hersteller: onsemi
MOSFETs 30V 250mA Dual N-Channel
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AnzahlPrivatkunde
5+0.83 EUR
10+0.51 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
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NTJD4001NT1G ntjd4001n-d.pdf
NTJD4001NT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTJD4001NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 250 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 272mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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239+1.05 EUR
404+0.57 EUR
618+0.35 EUR
834+0.26 EUR
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