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NTJD4158CT1G

NTJD4158CT1G onsemi

ntjd4158c-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA, 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
auf Bestellung 30000 Stücke:
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Technische Details NTJD4158CT1G onsemi

Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A SC88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 270mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA, 880mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NTJD4158CT1G NTJD4158CT1G onsemi E962A4C8A3859C8BDD11F7BD45B1D3697C01315A5EA0A90A2D0F77FB8C0E4BBE.pdf MOSFETs PFET 20V .88A 1OHM
auf Bestellung 11283 Stücke:
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NTJD4158CT1G NTJD4158CT1G onsemi ntjd4158c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA, 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
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Power - Max: 270mW
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