NTK3043NT1G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 210MA SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 10mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.65V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 10 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details NTK3043NT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTK3043NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 255 mA, 1.6 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 255mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 440mW, Bauform - Transistor: SOT-723, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm.
Weitere Produktangebote NTK3043NT1G nach Preis ab 0.11 EUR bis 0.82 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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NTK3043NT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 210MA SOT723 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 10mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.65V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 10 V |
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NTK3043NT1G | Hersteller : onsemi |
MOSFET NFET 20V 285mA TR |
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NTK3043NT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTK3043NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 255 mA, 1.6 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 255mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 440mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm |
auf Bestellung 22194 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTK3043NT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTK3043NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 255 mA, 1.6 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 255mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 440mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm |
auf Bestellung 22194 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTK3043NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.255A 3-Pin SOT-723 T/R |
auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTK3043NT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.185A; 0.44W; SOT723 Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT723 Mounting: SMD Power dissipation: 0.44W Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.185A On-state resistance: 3.4Ω Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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| NTK3043NT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.185A; 0.44W; SOT723 Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT723 Mounting: SMD Power dissipation: 0.44W Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.185A On-state resistance: 3.4Ω |
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