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NTK3139PT5G onsemi


ntk3139p-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 780mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 16 V
auf Bestellung 14100 Stücke:

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Technische Details NTK3139PT5G onsemi

Description: MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 780mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-723, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 16 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NTK3139PT5G NTK3139PT5G onsemi NTK3139P-D.PDF MOSFETs 20V/6V P CH T1 780mA 0.4
auf Bestellung 12278 Stücke:
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12+0.24 EUR
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500+0.11 EUR
1000+0.088 EUR
5000+0.081 EUR
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NTK3139PT5G NTK3139PT5G onsemi ntk3139p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 16 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-723
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 780mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
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38+0.47 EUR
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MOSFETs 20V/6V P CH T1 780mA 0.4
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Description: MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 16 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
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Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 780mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
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