Technische Details NTK3139PT5G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTK3139PT5G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 780 mA, 0.38 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 780mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 450mW, Bauform - Transistor: SOT-723, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NTK3139PT5G nach Preis ab 0.08 EUR bis 0.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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NTK3139PT5G | onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 780mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 16 V |
auf Bestellung 14100 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTK3139PT5G | onsemi |
MOSFETs 20V/6V P CH T1 780mA 0.4 |
auf Bestellung 12278 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTK3139PT5G | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 16 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±6V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-723 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 780mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-723 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 15287 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTK3139PT5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTK3139PT5G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 780 mA, 0.38 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 780mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 330 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NTK3139PT5G |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 780mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 16 V
Description: MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 780mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 16 V
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8000+ | 0.15 EUR |
| NTK3139PT5G |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs 20V/6V P CH T1 780mA 0.4
MOSFETs 20V/6V P CH T1 780mA 0.4
auf Bestellung 12278 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 0.46 EUR |
| 12+ | 0.29 EUR |
| 100+ | 0.18 EUR |
| 500+ | 0.13 EUR |
| 1000+ | 0.1 EUR |
| 5000+ | 0.096 EUR |
| 8000+ | 0.08 EUR |
| NTK3139PT5G |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 16 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-723
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 780mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 16 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-723
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 780mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 15287 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 24+ | 0.9 EUR |
| 38+ | 0.56 EUR |
| 100+ | 0.36 EUR |
| 500+ | 0.26 EUR |
| 1000+ | 0.23 EUR |
| 2000+ | 0.21 EUR |
| NTK3139PT5G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTK3139PT5G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 780 mA, 0.38 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 780mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTK3139PT5G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 780 mA, 0.38 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 780mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)