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NTLJS5D0N03CTAG

NTLJS5D0N03CTAG onsemi

ntljs5d0n03c-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 11.2A 6PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.38mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 15 V
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Technische Details NTLJS5D0N03CTAG onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 11.2A 6PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.38mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 15 V.

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NTLJS5D0N03CTAG NTLJS5D0N03CTAG Hersteller : onsemi ntljs5d0n03c-d.pdf MOSFETs T6 30V POWER CLIP 2
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NTLJS5D0N03CTAG NTLJS5D0N03CTAG Hersteller : onsemi ntljs5d0n03c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11.2A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.38mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 15 V
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NTLJS5D0N03CTAG NTLJS5D0N03CTAG Hersteller : ONSEMI NTLJS5D0N03C-D.PDF Description: ONSEMI - NTLJS5D0N03CTAG - MOSFET, POWER, 30V, N-CHANNEL, WDFN6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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NTLJS5D0N03CTAG Hersteller : ONSEMI ntljs5d0n03c-d.pdf NTLJS5D0N03CTAG SMD N channel transistors
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NTLJS5D0N03CTAG Hersteller : ON Semiconductor ntljs5d0n03c-d.pdf 30 V Single N Channel Power MOSFET
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NTLJS5D0N03CTAG Hersteller : ON Semiconductor ntljs5d0n03c-d.pdf 30 V Single N Channel Power MOSFET
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