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NTLJS5D0N03CTAG

NTLJS5D0N03CTAG onsemi

ntljs5d0n03c-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 11.2A 6PQFN
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.38mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
auf Bestellung 27000 Stücke:
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Technische Details NTLJS5D0N03CTAG onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 11.2A 6PQFN, Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.38mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-PowerWDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTLJS5D0N03CTAG NTLJS5D0N03CTAG onsemi ntljs5d0n03c-d.pdf MOSFETs T6 30V POWER CLIP 2
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10+1.06 EUR
100+0.73 EUR
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NTLJS5D0N03CTAG NTLJS5D0N03CTAG onsemi ntljs5d0n03c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11.2A 6PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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Mounting Type: Surface Mount
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
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Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
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