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NTMD3P03R2G

NTMD3P03R2G onsemi

NTMD3P03R2_D-2318853.pdf
Hersteller: onsemi
MOSFETs 30V 3.05A P-Channel
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Technische Details NTMD3P03R2G onsemi

Description: ONSEMI - NTMD3P03R2G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.05 A, 3.05 A, 0.085 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.05A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.05A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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NTMD3P03R2G
Hersteller: ONSEMI
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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NTMD3P03R2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMD3P03R2G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.05 A, 3.05 A, 0.085 ohm
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
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Verlustleistung, n-Kanal: 2W
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