NTMFS002P03P8ZT1G ONSEMI
Hersteller: ONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS002P03P8ZT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 226 A, 0.0012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
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Technische Details NTMFS002P03P8ZT1G ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS002P03P8ZT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 226 A, 0.0012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 226A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 138.9W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 138.9W, Bauform - Transistor: SOIC, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote NTMFS002P03P8ZT1G nach Preis ab 2.82 EUR bis 5.05 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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NTMFS002P03P8ZT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS002P03P8ZT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 226 A, 0.0012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 226A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 138.9W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 138.9W Bauform - Transistor: SOIC Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
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| NTMFS002P03P8ZT1G | Hersteller : onsemi |
MOSFET MOSFET, Power -30V P-Channel, SO-8FL |
auf Bestellung 5669 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMFS002P03P8ZT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 40.2A 5-Pin SO-FL EP Reel |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTMFS002P03P8ZT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET, POWER -30V P-CHANNEL, SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40.2A (Ta), 263A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 138.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 217 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14950 pF @ 15 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTMFS002P03P8ZT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET, POWER -30V P-CHANNEL, SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40.2A (Ta), 263A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 138.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 217 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14950 pF @ 15 V |
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