Produkte > ONSEMI > NTMFS005N10MCLT1G
NTMFS005N10MCLT1G

NTMFS005N10MCLT1G onsemi


ntmfs005n10mcl-d.pdf
Hersteller: onsemi
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100V, 105A, 5.1 mohm
auf Bestellung 6918 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.5 EUR
10+2.55 EUR
100+1.92 EUR
250+1.9 EUR
500+1.58 EUR
1500+1.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NTMFS005N10MCLT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTMFS005N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 105 A, 4200 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 105A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 125W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote NTMFS005N10MCLT1G

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
NTMFS005N10MCLT1G NTMFS005N10MCLT1G Hersteller : ONSEMI 3191512.pdf Description: ONSEMI - NTMFS005N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 105 A, 4200 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS005N10MCLT1G NTMFS005N10MCLT1G Hersteller : ONSEMI 3191512.pdf Description: ONSEMI - NTMFS005N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 105 A, 4200 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS005N10MCLT1G Hersteller : ON Semiconductor ntmfs005n10mcl-d.pdf
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH