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Technische Details NTMFS011N15MC onsemi
Description: ONSEMI - NTMFS011N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 78 A, 0.009 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 78A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 147W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.35V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 147W, Bauform - Transistor: PQFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote NTMFS011N15MC nach Preis ab 12.07 EUR bis 19.06 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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NTMFS011N15MC | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 150V 10.7A/78A 8PQFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 78A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 194µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3592 pF @ 75 V |
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NTMFS011N15MC | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS011N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 78 A, 0.009 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 78A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.35V euEccn: NLR Verlustleistung: 147W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
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NTMFS011N15MC | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS011N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 78 A, 0.009 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 78A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 147W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.35V euEccn: NLR Verlustleistung: 147W Bauform - Transistor: PQFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 5953 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS011N15MC | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin PQFN EP T/R |
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NTMFS011N15MC | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin PQFN EP T/R |
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NTMFS011N15MC | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin PQFN EP T/R |
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NTMFS011N15MC | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 10.7A/78A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 78A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 194µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3592 pF @ 75 V |
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