Produkte > ONSEMI > NTMFS0D5N03CT1G
NTMFS0D5N03CT1G

NTMFS0D5N03CT1G onsemi

ntmfs0d5n03c-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta), 464A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1500+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NTMFS0D5N03CT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTMFS0D5N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 464 A, 430 µohm, SO-8 FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 464A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 200W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: SO-8 FL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 430µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00043ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote NTMFS0D5N03CT1G nach Preis ab 1.48 EUR bis 5.24 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTMFS0D5N03CT1G NTMFS0D5N03CT1G ON Semiconductor ntmfs0d5n03c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 65A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 1307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.07 EUR
87+2.01 EUR
88+1.94 EUR
100+1.86 EUR
250+1.81 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D5N03CT1G NTMFS0D5N03CT1G ON Semiconductor ntmfs0d5n03c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 65A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 1307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.07 EUR
87+1.96 EUR
88+1.87 EUR
100+1.76 EUR
250+1.67 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D5N03CT1G NTMFS0D5N03CT1G ONSEMI 3191514.pdf Description: ONSEMI - NTMFS0D5N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 464 A, 430 µohm, SO-8 FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 464A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: SO-8 FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 430µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00043ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.83 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D5N03CT1G NTMFS0D5N03CT1G ONSEMI 3191514.pdf Description: ONSEMI - NTMFS0D5N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 464 A, 430 µohm, SO-8 FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 464A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: SO-8 FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00043ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5 EUR
59+3.95 EUR
100+2.83 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D5N03CT1G NTMFS0D5N03CT1G onsemi ntmfs0d5n03c-d.pdf Description: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta), 464A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V
auf Bestellung 1549 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.24 EUR
10+3.4 EUR
100+2.34 EUR
500+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D5N03CT1G onsemi NTMFS0D5N03C-D.PDF MOSFETs MOSFET, Power, Single N-Channel, 30V, SO-8FL
auf Bestellung 3582 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.77 EUR
10+3.2 EUR
100+2.34 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.77 EUR
1500+1.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D5N03CT1G ONN ntmfs0d5n03c-d.pdf
auf Bestellung 10500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D5N03CT1G ntmfs0d5n03c-d.pdf
NTMFS0D5N03CT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 65A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 1307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
85+2.07 EUR
87+2.01 EUR
88+1.94 EUR
100+1.86 EUR
250+1.81 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D5N03CT1G ntmfs0d5n03c-d.pdf
NTMFS0D5N03CT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 65A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 1307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
85+2.07 EUR
87+1.96 EUR
88+1.87 EUR
100+1.76 EUR
250+1.67 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D5N03CT1G 3191514.pdf
NTMFS0D5N03CT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS0D5N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 464 A, 430 µohm, SO-8 FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 464A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: SO-8 FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 430µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00043ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.83 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D5N03CT1G 3191514.pdf
NTMFS0D5N03CT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS0D5N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 464 A, 430 µohm, SO-8 FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 464A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: SO-8 FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00043ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+5 EUR
59+3.95 EUR
100+2.83 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D5N03CT1G ntmfs0d5n03c-d.pdf
NTMFS0D5N03CT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta), 464A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V
auf Bestellung 1549 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+5.24 EUR
10+3.4 EUR
100+2.34 EUR
500+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D5N03CT1G NTMFS0D5N03C-D.PDF
Hersteller: onsemi
MOSFETs MOSFET, Power, Single N-Channel, 30V, SO-8FL
auf Bestellung 3582 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.77 EUR
10+3.2 EUR
100+2.34 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.77 EUR
1500+1.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D5N03CT1G ntmfs0d5n03c-d.pdf
Hersteller: ONN
auf Bestellung 10500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH