NTMFS0D5N03CT1G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta), 464A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1500+ | 1.75 EUR |
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Technische Details NTMFS0D5N03CT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTMFS0D5N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 464 A, 0.00043 ohm, SO-8 FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 464A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 200W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: SO-8 FL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 430µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 430µohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote NTMFS0D5N03CT1G nach Preis ab 1.68 EUR bis 4.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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NTMFS0D5N03CT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 65A 5-Pin SO-FL EP T/R |
auf Bestellung 1435 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS0D5N03CT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 65A 5-Pin SO-FL EP T/R |
auf Bestellung 1435 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS0D5N03CT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL, Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta), 464A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 330µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V |
auf Bestellung 1801 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMFS0D5N03CT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS0D5N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 464 A, 0.00043 ohm, SO-8 FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 464A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: SO-8 FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 430µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1760 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS0D5N03CT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS0D5N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 464 A, 0.00043 ohm, SO-8 FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 464A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: SO-8 FL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 430µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 430µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1760 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTMFS0D5N03CT1G | Hersteller : onsemi |
MOSFETs LFPAK WIDE SOA AND SO8FL EXPANSION |
auf Bestellung 4565 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMFS0D5N03CT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 65A 5-Pin SO-FL EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTMFS0D5N03CT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 65A 5-Pin SO-FL EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTMFS0D5N03CT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 65A 5-Pin SO-FL EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NTMFS0D5N03CT1G | Hersteller : ONSEMI |
NTMFS0D5N03CT1G SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |