NTMFS10N7D2C onsemi
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2635 pF @ 50 V
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Technische Details NTMFS10N7D2C onsemi
Description: ONSEMI - NTMFS10N7D2C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 0.0072 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 78A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote NTMFS10N7D2C nach Preis ab 3.2 EUR bis 8.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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NTMFS10N7D2C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS10N7D2C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 0.0072 ohm, Power 56, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 78A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 794 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS10N7D2C | onsemi / Fairchild |
MOSFETs PTNG 100/20V Nch Power Trench MOSFET |
auf Bestellung 675 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMFS10N7D2C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS10N7D2C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 0.0072 ohm, Power 56, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 78A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 794 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS10N7D2C | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Power56 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2635 pF @ 50 V |
auf Bestellung 3386 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTMFS10N7D2C | ONN |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NTMFS10N7D2C |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS10N7D2C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 0.0072 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NTMFS10N7D2C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 0.0072 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 794 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.64 EUR |
| 500+ | 3.49 EUR |
| NTMFS10N7D2C |
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Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs PTNG 100/20V Nch Power Trench MOSFET
MOSFETs PTNG 100/20V Nch Power Trench MOSFET
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.22 EUR |
| 10+ | 5.21 EUR |
| 25+ | 4.93 EUR |
| 100+ | 4.24 EUR |
| 250+ | 4.19 EUR |
| 500+ | 3.67 EUR |
| 1000+ | 3.2 EUR |
| NTMFS10N7D2C |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS10N7D2C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 0.0072 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NTMFS10N7D2C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 0.0072 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 30+ | 8.4 EUR |
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| 100+ | 3.64 EUR |
| 500+ | 3.49 EUR |
| NTMFS10N7D2C |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2635 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2635 pF @ 50 V
auf Bestellung 3386 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 8.48 EUR |
| 10+ | 5.59 EUR |
| 100+ | 3.95 EUR |
| 500+ | 3.4 EUR |
| NTMFS10N7D2C |
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Hersteller: ONN
auf Bestellung 2760 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)


