NTMFS4835NT1G ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details NTMFS4835NT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTMFS4835NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 104 A, 0.0025 ohm, SO-8 FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 104A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62.5W, Bauform - Transistor: SO-8 FL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote NTMFS4835NT1G nach Preis ab 0.67 EUR bis 2.82 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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NTMFS4835NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R |
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NTMFS4835NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R |
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NTMFS4835NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R |
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NTMFS4835NT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 13A/130A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 890mW (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 11.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12 V |
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NTMFS4835NT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS4835NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 104 A, 0.0025 ohm, SO-8 FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 104A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: SO-8 FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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NTMFS4835NT1G Produktcode: 133508
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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NTMFS4835NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R |
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NTMFS4835NT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 13A/130A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 890mW (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 11.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12 V |
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NTMFS4835NT1G | Hersteller : onsemi |
MOSFETs NFET SO8FL 30V 104A 3.5mOhm |
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