Produkte > ONSEMI > NTMFS4C06NT1G
NTMFS4C06NT1G

NTMFS4C06NT1G onsemi

ntmfs4c06n-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 11A/69A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta), 30.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 69A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NTMFS4C06NT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTMFS4C06NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 69 A, 0.0032 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 69A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30.5W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote NTMFS4C06NT1G nach Preis ab 0.38 EUR bis 2.42 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTMFS4C06NT1G NTMFS4C06NT1G ON Semiconductor ntmfs4c06n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1188+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 1188 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C06NT1G NTMFS4C06NT1G ON Semiconductor ntmfs4c06n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
245+0.73 EUR
254+0.69 EUR
294+0.58 EUR
297+0.56 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.46 EUR
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 245 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C06NT1G NTMFS4C06NT1G ON Semiconductor ntmfs4c06n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
219+0.81 EUR
245+0.69 EUR
254+0.64 EUR
294+0.54 EUR
297+0.51 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 219 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C06NT1G NTMFS4C06NT1G onsemi ntmfs4c06n-d.pdf MOSFETs NFET SO8FL 30V 69A 4MOHM
auf Bestellung 67624 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.69 EUR
10+0.89 EUR
100+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C06NT1G NTMFS4C06NT1G onsemi ntmfs4c06n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11A/69A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta), 30.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 69A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.76 EUR
20+1.09 EUR
100+0.71 EUR
500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C06NT1G NTMFS4C06NT1G ONSEMI ntmfs4c06n-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS4C06NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 69 A, 0.0032 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30.5W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1273 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
121+2.07 EUR
174+1.33 EUR
243+0.88 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C06NT1G NTMFS4C06NT1G ONSEMI 2160862.pdf Description: ONSEMI - NTMFS4C06NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 69 A, 0.0032 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30.5W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+2.42 EUR
161+1.44 EUR
233+0.92 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C06NT1G ON Semiconductor ntmfs4c06n-d.pdf
auf Bestellung 2385 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C06NT1G ntmfs4c06n-d.pdf
NTMFS4C06NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1188+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 1188 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C06NT1G ntmfs4c06n-d.pdf
NTMFS4C06NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
245+0.73 EUR
254+0.69 EUR
294+0.58 EUR
297+0.56 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.46 EUR
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 245 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C06NT1G ntmfs4c06n-d.pdf
NTMFS4C06NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
219+0.81 EUR
245+0.69 EUR
254+0.64 EUR
294+0.54 EUR
297+0.51 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 219 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C06NT1G ntmfs4c06n-d.pdf
NTMFS4C06NT1G
Hersteller: onsemi
MOSFETs NFET SO8FL 30V 69A 4MOHM
auf Bestellung 67624 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.69 EUR
10+0.89 EUR
100+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C06NT1G ntmfs4c06n-d.pdf
NTMFS4C06NT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 11A/69A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta), 30.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 69A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+1.76 EUR
20+1.09 EUR
100+0.71 EUR
500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C06NT1G ntmfs4c06n-d.pdf
NTMFS4C06NT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS4C06NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 69 A, 0.0032 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30.5W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1273 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
121+2.07 EUR
174+1.33 EUR
243+0.88 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C06NT1G 2160862.pdf
NTMFS4C06NT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS4C06NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 69 A, 0.0032 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30.5W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
104+2.42 EUR
161+1.44 EUR
233+0.92 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS4C06NT1G ntmfs4c06n-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 2385 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH