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NTMFS4C06NT1G

NTMFS4C06NT1G onsemi

ntmfs4c06n-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 11A/69A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta), 30.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 69A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Technische Details NTMFS4C06NT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTMFS4C06NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 69 A, 4000 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 69A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, Verlustleistung: 30.5W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm.

Weitere Produktangebote NTMFS4C06NT1G nach Preis ab 0.38 EUR bis 1.76 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTMFS4C06NT1G NTMFS4C06NT1G ON Semiconductor ntmfs4c06n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NTMFS4C06NT1G NTMFS4C06NT1G ON Semiconductor ntmfs4c06n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
245+0.71 EUR
254+0.68 EUR
294+0.57 EUR
297+0.56 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.45 EUR
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 245 Stücke
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NTMFS4C06NT1G NTMFS4C06NT1G ON Semiconductor ntmfs4c06n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
219+0.8 EUR
245+0.69 EUR
254+0.64 EUR
294+0.54 EUR
297+0.5 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.39 EUR
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 219 Stücke
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NTMFS4C06NT1G NTMFS4C06NT1G ONSEMI ntmfs4c06n-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS4C06NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 69 A, 4000 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 30.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
234+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 234 Stücke
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NTMFS4C06NT1G NTMFS4C06NT1G ONSEMI ntmfs4c06n-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS4C06NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 69 A, 4000 µohm, DFN, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 69A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 30.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
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NTMFS4C06NT1G NTMFS4C06NT1G onsemi ntmfs4c06n-d.pdf MOSFETs NFET SO8FL 30V 69A 4MOHM
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta), 30.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 69A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
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Trans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS4C06NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 69 A, 4000 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 69A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 30.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
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Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
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Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta), 30.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 69A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
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