NTMFS4C06NT1G ON Semiconductor
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Technische Details NTMFS4C06NT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTMFS4C06NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 69 A, 0.0032 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 69A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30.5W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NTMFS4C06NT1G nach Preis ab 0.32 EUR bis 1.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||||
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NTMFS4C06NT1G | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 30V 11A/69A 5DFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 69A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 770mW (Ta), 30.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMFS4C06NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS4C06NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS4C06NT1G | Hersteller : onsemi |
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 30V, 69A, 4mohm |
auf Bestellung 100092 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMFS4C06NT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 11A/69A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 69A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 770mW (Ta), 30.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V |
auf Bestellung 2179 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMFS4C06NT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS4C06NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 69 A, 0.0032 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 69A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 30.5W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1284 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS4C06NT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS4C06NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 69 A, 0.0032 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 69A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 30.5W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1284 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTMFS4C06NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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NTMFS4C06NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTMFS4C06NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NTMFS4C06NT1G | Hersteller : ONSEMI |
NTMFS4C06NT1G SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |