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NTMFS4C09NT1G

NTMFS4C09NT1G ON Semiconductor

ntmfs4c09n-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 8500 Stücke:
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Technische Details NTMFS4C09NT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTMFS4C09NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 52 A, 5800 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, Verlustleistung: 25.5W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm.

Weitere Produktangebote NTMFS4C09NT1G nach Preis ab 0.23 EUR bis 2.18 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTMFS4C09NT1G NTMFS4C09NT1G onsemi ntmfs4c09n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 25.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.6 EUR
3000+0.55 EUR
4500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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NTMFS4C09NT1G NTMFS4C09NT1G onsemi BA3D74F2B87DDA15821A0102DB08D82A8789CDB2D0D28E85ED76C0C24B458599.pdf MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 30V, 52A, 5.8mohm
auf Bestellung 1881 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.98 EUR
10+0.67 EUR
100+0.49 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.35 EUR
1500+0.26 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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NTMFS4C09NT1G NTMFS4C09NT1G ONSEMI ntmfs4c09n-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS4C09NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 52 A, 5800 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 25.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
auf Bestellung 667 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+1.55 EUR
260+0.89 EUR
324+0.67 EUR
500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
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NTMFS4C09NT1G NTMFS4C09NT1G ONSEMI ntmfs4c09n-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS4C09NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 52 A, 5800 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 25.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
auf Bestellung 667 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+1.55 EUR
260+0.89 EUR
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NTMFS4C09NT1G NTMFS4C09NT1G onsemi ntmfs4c09n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252 pF @ 15 V
auf Bestellung 5310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.18 EUR
16+1.37 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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auf Bestellung 695 Stücke:
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NTMFS4C09NT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 9A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 25.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1500+0.6 EUR
3000+0.55 EUR
4500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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NTMFS4C09NT1G BA3D74F2B87DDA15821A0102DB08D82A8789CDB2D0D28E85ED76C0C24B458599.pdf
NTMFS4C09NT1G
Hersteller: onsemi
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 30V, 52A, 5.8mohm
auf Bestellung 1881 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+0.98 EUR
10+0.67 EUR
100+0.49 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.35 EUR
1500+0.26 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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NTMFS4C09NT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS4C09NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 52 A, 5800 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 25.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
auf Bestellung 667 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
162+1.55 EUR
260+0.89 EUR
324+0.67 EUR
500+0.62 EUR
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NTMFS4C09NT1G ntmfs4c09n-d.pdf
NTMFS4C09NT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS4C09NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 52 A, 5800 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 25.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
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162+1.55 EUR
260+0.89 EUR
324+0.67 EUR
500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
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NTMFS4C09NT1G ntmfs4c09n-d.pdf
NTMFS4C09NT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 9A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252 pF @ 15 V
auf Bestellung 5310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+2.18 EUR
16+1.37 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
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