NTMFS4C09NT1G ON Semiconductor
auf Bestellung 8500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1136+ | 0.47 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details NTMFS4C09NT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTMFS4C09NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 52 A, 0.0046 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25.5W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NTMFS4C09NT1G nach Preis ab 0.21 EUR bis 1.83 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMFS4C09NT1G | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 30V 9A 5DFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 25.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252 pF @ 15 V |
auf Bestellung 4500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
NTMFS4C09NT1G | Hersteller : onsemi |
MOSFETs NFET SO8FL 30V 52A 58MOH |
auf Bestellung 2881 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFS4C09NT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 9A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 25.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252 pF @ 15 V |
auf Bestellung 5310 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
NTMFS4C09NT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS4C09NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 52 A, 0.0046 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 25.5W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1072 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
NTMFS4C09NT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS4C09NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 52 A, 0.0046 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 25.5W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1072 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
| NTMFS4C09NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
|
auf Bestellung 695 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||||
|
|
NTMFS4C09NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
 |
NTMFS4C09NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
| NTMFS4C09NT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 52A; Idm: 146A; 25.5W; DFN5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 52A Pulsed drain current: 146A Power dissipation: 25.5W Case: DFN5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
| NTMFS4C09NT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 52A; Idm: 146A; 25.5W; DFN5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 52A Pulsed drain current: 146A Power dissipation: 25.5W Case: DFN5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |