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NTMFS4C302NT1G ON Semiconductor

Name: NTMFS4C302NT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: 42715987-5
Price: 1350.00 EUR
Availability: InStock

Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 41A 5-Pin SO-FL EP T/R

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Technische Details NTMFS4C302NT1G ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 41A/230A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 230A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5780 pF @ 15 V.

Weitere Produktangebote NTMFS4C302NT1G nach Preis ab 0.46 EUR bis 3.06 EUR

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onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 41A/230A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5780 pF @ 15 V

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ONSEMI

Description: ONSEMI - NTMFS4C302NT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

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onsemi

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onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 41A/230A 5DFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 230A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5780 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 96W (Tc)

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ONN

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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 41A/230A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5780 pF @ 15 V

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Description: ONSEMI - NTMFS4C302NT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

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Description: MOSFET N-CH 30V 41A/230A 5DFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 230A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5780 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 96W (Tc)

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