NTMFS4D2N10MDT1G onsemi
Hersteller: onsemi
Description: N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 239µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 46A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 113A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details NTMFS4D2N10MDT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTMFS4D2N10MDT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 113 A, 0.0038 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 113A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 132W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 132W, Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NTMFS4D2N10MDT1G nach Preis ab 2.08 EUR bis 6.77 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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NTMFS4D2N10MDT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS4D2N10MDT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 113 A, 0.0038 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 113A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 132W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 132W Bauform - Transistor: DFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2598 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS4D2N10MDT1G | onsemi |
MOSFETs PTNG 100V LOW Q 42MOHM N-FET SO8FL |
auf Bestellung 89 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMFS4D2N10MDT1G | onsemi |
Description: N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 239µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 132W (Tc) Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 46A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 113A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 1954 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMFS4D2N10MDT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS4D2N10MDT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 113 A, 0.0038 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 113A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 132W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2598 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTMFS4D2N10MDT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS4D2N10MDT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 113 A, 0.0038 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 132W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTMFS4D2N10MDT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 113 A, 0.0038 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 132W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2598 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.89 EUR |
| 500+ | 2.65 EUR |
| 1000+ | 2.4 EUR |
| NTMFS4D2N10MDT1G |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs PTNG 100V LOW Q 42MOHM N-FET SO8FL
MOSFETs PTNG 100V LOW Q 42MOHM N-FET SO8FL
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.37 EUR |
| 10+ | 4.06 EUR |
| 100+ | 3.01 EUR |
| 500+ | 2.75 EUR |
| 1000+ | 2.18 EUR |
| 1500+ | 2.08 EUR |
| NTMFS4D2N10MDT1G |
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Hersteller: onsemi
Description: N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 239µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 132W (Tc)
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 46A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 113A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 239µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 132W (Tc)
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 46A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 113A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1954 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 6.26 EUR |
| 10+ | 4.07 EUR |
| 100+ | 2.83 EUR |
| 500+ | 2.3 EUR |
| NTMFS4D2N10MDT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS4D2N10MDT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 113 A, 0.0038 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTMFS4D2N10MDT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 113 A, 0.0038 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 113A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2598 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 37+ | 6.77 EUR |
| 52+ | 4.47 EUR |
| 100+ | 2.89 EUR |
| 500+ | 2.65 EUR |
| 1000+ | 2.4 EUR |