NTMFS4H02NFT1G ONSEMI
Hersteller: ONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS4H02NFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 193 A, 0.009 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 193A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24.6W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1508 Stücke:
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Technische Details NTMFS4H02NFT1G ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS4H02NFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 193 A, 0.009 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 193A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 24.6W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote NTMFS4H02NFT1G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| NTMFS4H02NFT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 8775 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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NTMFS4H02NFT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 25V 37A/193A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 193A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2652 pF @ 12 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NTMFS4H02NFT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
MOSFET FETKY SO8FL 25V 193A 1.4M |
Produkt ist nicht verfügbar |