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NTMFS5113PLT1G

NTMFS5113PLT1G onsemi

ntmfs5113pl-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: NFET SO8FL 60V 69A 16MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
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Technische Details NTMFS5113PLT1G onsemi

Description: NFET SO8FL 60V 69A 16MOHM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 64A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NTMFS5113PLT1G NTMFS5113PLT1G Hersteller : ON Semiconductor ntmfs5113pl-d.pdf Power MOSFET -60 V, 14 mW, -64 A, Single P-Channel
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NTMFS5113PLT1G NTMFS5113PLT1G Hersteller : onsemi NTMFS5113PL_D-3150600.pdf MOSFETs NFET SO8FL 60V 69A 1 6MOHM
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NTMFS5113PLT1G NTMFS5113PLT1G Hersteller : onsemi ntmfs5113pl-d.pdf Description: NFET SO8FL 60V 69A 16MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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4+4.63 EUR
10+3.03 EUR
100+2.14 EUR
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NTMFS5113PLT1G NTMFS5113PLT1G Hersteller : ON Semiconductor ntmfs5113pl-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 10A 5-Pin SO-FL EP T/R
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NTMFS5113PLT1G Hersteller : ONSEMI ntmfs5113pl-d.pdf NTMFS5113PLT1G SMD P channel transistors
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