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Technische Details NTMFS5C410NT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTMFS5C410NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 760 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 166W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 760µohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote NTMFS5C410NT1G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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NTMFS5C410NT1G | Hersteller : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - NTMFS5C410NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 760 µohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 166W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 760µohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS5C410NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin SO-FL EP T/R |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS5C410NT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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NTMFS5C410NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin SO-FL EP T/R |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS5C410NT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5C410NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 760 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 166W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 760µohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS5C410NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTMFS5C410NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin SO-FL EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTMFS5C410NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin SO-FL EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTMFS5C410NT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V |
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