Technische Details NTMFS5C410NT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTMFS5C410NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 760 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 166W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 760µohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote NTMFS5C410NT1G nach Preis ab 1.25 EUR bis 5.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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NTMFS5C410NT1G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFNInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMFS5C410NT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin SO-FL EP T/R |
auf Bestellung 167665 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS5C410NT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin SO-FL EP T/R |
auf Bestellung 1334 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS5C410NT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin SO-FL EP T/R |
auf Bestellung 1334 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS5C410NT1G | onsemi |
MOSFETs T6D3F 40V NFET |
auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMFS5C410NT1G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V |
auf Bestellung 15561 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMFS5C410NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5C410NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 760 µohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 166W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 760µohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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NTMFS5C410NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5C410NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 760 µohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 166W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 760µohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 9 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTMFS5C410NT1G | ONN |
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auf Bestellung 10500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NTMFS5C410NT1G |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1500+ | 1.73 EUR |
| 3000+ | 1.67 EUR |
| NTMFS5C410NT1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin SO-FL EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 167665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 346+ | 1.92 EUR |
| 500+ | 1.81 EUR |
| 1000+ | 1.67 EUR |
| NTMFS5C410NT1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin SO-FL EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 1334 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 53+ | 3.36 EUR |
| 69+ | 2.46 EUR |
| 70+ | 2.36 EUR |
| 100+ | 1.73 EUR |
| 250+ | 1.64 EUR |
| 500+ | 1.52 EUR |
| 1000+ | 1.42 EUR |
| NTMFS5C410NT1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin SO-FL EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 1334 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 53+ | 3.36 EUR |
| 69+ | 2.52 EUR |
| 70+ | 2.45 EUR |
| 100+ | 1.82 EUR |
| 250+ | 1.77 EUR |
| 500+ | 1.7 EUR |
| 1000+ | 1.62 EUR |
| NTMFS5C410NT1G |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs T6D3F 40V NFET
MOSFETs T6D3F 40V NFET
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.96 EUR |
| 10+ | 2.73 EUR |
| 100+ | 1.95 EUR |
| 500+ | 1.56 EUR |
| 1500+ | 1.51 EUR |
| 3000+ | 1.36 EUR |
| 9000+ | 1.25 EUR |
| NTMFS5C410NT1G |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
auf Bestellung 15561 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 5.43 EUR |
| 10+ | 3.51 EUR |
| 100+ | 2.42 EUR |
| 500+ | 1.95 EUR |
| NTMFS5C410NT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS5C410NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 760 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 760µohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NTMFS5C410NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 760 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 760µohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NTMFS5C410NT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS5C410NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 760 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 760µohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NTMFS5C410NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 760 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 760µohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NTMFS5C410NT1G |
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Hersteller: ONN
auf Bestellung 10500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)




