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NTMFS5C426NT1G

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Produktcode: 165532
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTMFS5C426NT1G NTMFS5C426NT1G ON Semiconductor ntmfs5c426n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 41A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
586+1.11 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 586 Stücke
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NTMFS5C426NT1G NTMFS5C426NT1G ON Semiconductor ntmfs5c426n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 41A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
586+1.11 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 586 Stücke
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NTMFS5C426NT1G NTMFS5C426NT1G onsemi ntmfs5c426n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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NTMFS5C426NT1G NTMFS5C426NT1G ONSEMI ntmfs5c426n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 235A; Idm: 900A; 64W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 235A
Power dissipation: 64W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 900A
Gate charge: 65nC
auf Bestellung 1437 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+1.75 EUR
69+1.24 EUR
100+0.99 EUR
250+0.93 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
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NTMFS5C426NT1G NTMFS5C426NT1G onsemi ntmfs5c426n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
auf Bestellung 2625 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.87 EUR
10+2.19 EUR
100+1.71 EUR
500+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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NTMFS5C426NT1G NTMFS5C426NT1G ONSEMI ONSM-S-A0013579374-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTMFS5C426NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 235 A, 1100 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 235A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 128W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
auf Bestellung 2597 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.9 EUR
119+1.81 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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NTMFS5C426NT1G NTMFS5C426NT1G onsemi NTMFS5C426N_D-2318995.pdf MOSFETs T6D3F 40V NFET
auf Bestellung 1750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.67 EUR
10+3.03 EUR
100+2.28 EUR
500+1.82 EUR
1500+1.61 EUR
3000+1.59 EUR
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NTMFS5C426NT1G NTMFS5C426NT1G ONSEMI ONSM-S-A0013579374-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTMFS5C426NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 235 A, 1100 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 235A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 128W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
auf Bestellung 2597 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+4.95 EUR
80+2.9 EUR
119+1.81 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
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NTMFS5C426NT1G ntmfs5c426n-d.pdf
NTMFS5C426NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 41A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
586+1.11 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 586 Stücke
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NTMFS5C426NT1G ntmfs5c426n-d.pdf
NTMFS5C426NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 41A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
586+1.11 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 586 Stücke
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NTMFS5C426NT1G ntmfs5c426n-d.pdf
NTMFS5C426NT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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NTMFS5C426NT1G ntmfs5c426n-d.pdf
NTMFS5C426NT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 235A; Idm: 900A; 64W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 235A
Power dissipation: 64W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 900A
Gate charge: 65nC
auf Bestellung 1437 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
49+1.75 EUR
69+1.24 EUR
100+0.99 EUR
250+0.93 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
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NTMFS5C426NT1G ntmfs5c426n-d.pdf
NTMFS5C426NT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
auf Bestellung 2625 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+2.87 EUR
10+2.19 EUR
100+1.71 EUR
500+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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NTMFS5C426NT1G ONSM-S-A0013579374-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTMFS5C426NT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS5C426NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 235 A, 1100 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 235A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 128W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
auf Bestellung 2597 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.9 EUR
119+1.81 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS5C426NT1G NTMFS5C426N_D-2318995.pdf
NTMFS5C426NT1G
Hersteller: onsemi
MOSFETs T6D3F 40V NFET
auf Bestellung 1750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.67 EUR
10+3.03 EUR
100+2.28 EUR
500+1.82 EUR
1500+1.61 EUR
3000+1.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS5C426NT1G ONSM-S-A0013579374-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTMFS5C426NT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS5C426NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 235 A, 1100 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 235A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 128W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
auf Bestellung 2597 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
51+4.95 EUR
80+2.9 EUR
119+1.81 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH