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NTMFS5C468NLT1G

NTMFS5C468NLT1G ON Semiconductor

ntmfs5c468nl-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 13A 5-Pin SO-FL EP T/R
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Technische Details NTMFS5C468NLT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTMFS5C468NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 37 A, 0.0086 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 37A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 28W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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NTMFS5C468NLT1G NTMFS5C468NLT1G Hersteller : ON Semiconductor ntmfs5c468nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 13A 5-Pin SO-FL EP T/R
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NTMFS5C468NLT1G NTMFS5C468NLT1G Hersteller : onsemi ntmfs5c468nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 20 V
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NTMFS5C468NLT1G NTMFS5C468NLT1G Hersteller : ON Semiconductor ntmfs5c468nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 13A 5-Pin SO-FL EP T/R
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472+0.29 EUR
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3000+0.22 EUR
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auf Bestellung 3495 Stücke:
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398+0.35 EUR
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NTMFS5C468NLT1G NTMFS5C468NLT1G Hersteller : onsemi ntmfs5c468nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 20 V
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NTMFS5C468NLT1G NTMFS5C468NLT1G Hersteller : onsemi ntmfs5c468nl-d.pdf MOSFETs T6 40V NCH LL IN SO8
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NTMFS5C468NLT1G NTMFS5C468NLT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013300246-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTMFS5C468NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 37 A, 0.0086 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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NTMFS5C468NLT1G NTMFS5C468NLT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013300246-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTMFS5C468NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 37 A, 0.0086 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1043 Stücke:
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