NTMFS5C646NLT1G onsemi
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 19A 5DFN
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2164 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V
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Technische Details NTMFS5C646NLT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTMFS5C646NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 19 A, 3800 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.1W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NTMFS5C646NLT1G nach Preis ab 2.12 EUR bis 5.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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NTMFS5C646NLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5C646NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 19 A, 3800 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 4641 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS5C646NLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5C646NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 19 A, 3800 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 4641 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS5C646NLT1G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 19A 5DFN Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2164 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) |
auf Bestellung 1905 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMFS5C646NLT1G | onsemi |
MOSFETs NFET SO8FL 60V 92A 4.5MOH |
auf Bestellung 7581 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMFS5C646NLT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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NTMFS5C646NLT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NTMFS5C646NLT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS5C646NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 19 A, 3800 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTMFS5C646NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 19 A, 3800 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Dauer-Drainstrom Id: 19A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
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Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4641 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.13 EUR |
| 200+ | 2.98 EUR |
| 500+ | 2.59 EUR |
| NTMFS5C646NLT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS5C646NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 19 A, 3800 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTMFS5C646NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 19 A, 3800 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4641 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 51+ | 4.95 EUR |
| 66+ | 3.52 EUR |
| 69+ | 3.13 EUR |
| 200+ | 2.98 EUR |
| 500+ | 2.59 EUR |
| NTMFS5C646NLT1G |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 19A 5DFN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2164 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Description: MOSFET N-CH 60V 19A 5DFN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2164 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 1905 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 5.11 EUR |
| 10+ | 3.67 EUR |
| 100+ | 2.73 EUR |
| 500+ | 2.24 EUR |
| NTMFS5C646NLT1G |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs NFET SO8FL 60V 92A 4.5MOH
MOSFETs NFET SO8FL 60V 92A 4.5MOH
auf Bestellung 7581 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.15 EUR |
| 10+ | 3.64 EUR |
| 100+ | 2.7 EUR |
| 250+ | 2.67 EUR |
| 500+ | 2.31 EUR |
| 1500+ | 2.12 EUR |
| NTMFS5C646NLT1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NTMFS5C646NLT1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 16 Stücke:
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