NTMFS5C646NLT1G ON Semiconductor
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Technische Details NTMFS5C646NLT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTMFS5C646NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 19 A, 0.0038 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.1W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote NTMFS5C646NLT1G nach Preis ab 1.45 EUR bis 5.98 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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NTMFS5C646NLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 60V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R |
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NTMFS5C646NLT1G | Hersteller : onsemi |
MOSFET NFET SO8FL 60V 92A 4.5MOH |
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NTMFS5C646NLT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 19A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2164 pF @ 25 V |
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NTMFS5C646NLT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5C646NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 19 A, 0.0038 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
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NTMFS5C646NLT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5C646NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 19 A, 0.0038 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
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NTMFS5C646NLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTMFS5C646NLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTMFS5C646NLT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 19A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2164 pF @ 25 V |
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