NTMFS5C646NLT1G onsemi
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 19A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2164 pF @ 25 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1500+ | 2.07 EUR |
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Technische Details NTMFS5C646NLT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTMFS5C646NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 19 A, 3800 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 3.1W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm.
Weitere Produktangebote NTMFS5C646NLT1G nach Preis ab 2.12 EUR bis 8.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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NTMFS5C646NLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5C646NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 19 A, 3800 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 3.1W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm |
auf Bestellung 3981 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS5C646NLT1G | onsemi |
MOSFETs NFET SO8FL 60V 92A 4.5MOH |
auf Bestellung 7581 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMFS5C646NLT1G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 19A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2164 pF @ 25 V |
auf Bestellung 4633 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMFS5C646NLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5C646NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 19 A, 3800 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 3.1W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm |
auf Bestellung 3981 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS5C646NLT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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NTMFS5C646NLT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NTMFS5C646NLT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS5C646NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 19 A, 3800 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
Description: ONSEMI - NTMFS5C646NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 19 A, 3800 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
auf Bestellung 3981 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 4.61 EUR |
| 200+ | 3.26 EUR |
| 500+ | 3.19 EUR |
| NTMFS5C646NLT1G |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs NFET SO8FL 60V 92A 4.5MOH
MOSFETs NFET SO8FL 60V 92A 4.5MOH
auf Bestellung 7581 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.15 EUR |
| 10+ | 3.64 EUR |
| 100+ | 2.7 EUR |
| 250+ | 2.67 EUR |
| 500+ | 2.31 EUR |
| 1500+ | 2.12 EUR |
| NTMFS5C646NLT1G |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 19A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 79W (Tc)
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Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2164 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 19A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2164 pF @ 25 V
auf Bestellung 4633 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 6.87 EUR |
| 10+ | 4.49 EUR |
| 50+ | 3.46 EUR |
| 100+ | 3.13 EUR |
| 500+ | 2.55 EUR |
| NTMFS5C646NLT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS5C646NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 19 A, 3800 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
Description: ONSEMI - NTMFS5C646NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 19 A, 3800 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
auf Bestellung 3981 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 31+ | 8.32 EUR |
| 47+ | 5.01 EUR |
| 50+ | 4.61 EUR |
| 200+ | 3.26 EUR |
| 500+ | 3.19 EUR |
| NTMFS5C646NLT1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NTMFS5C646NLT1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)