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NTMFS5C673NT1G

NTMFS5C673NT1G onsemi

ntmfs5c673n-d.pdf Hersteller: onsemi
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 60V, 50A, 10.7mohm
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Technische Details NTMFS5C673NT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 14A/50A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 46W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 30 V.

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NTMFS5C673NT1G NTMFS5C673NT1G Hersteller : onsemi ntmfs5c673n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 14A/50A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 30 V
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NTMFS5C673NT1G Hersteller : ON Semiconductor ntmfs5c673n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 14A 5-Pin SO-FL EP T/R
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NTMFS5C673NT1G Hersteller : ON Semiconductor ntmfs5c673n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 14A 5-Pin SO-FL EP T/R
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NTMFS5C673NT1G Hersteller : ONSEMI ntmfs5c673n-d.pdf NTMFS5C673NT1G SMD N channel transistors
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NTMFS5C673NT1G NTMFS5C673NT1G Hersteller : onsemi ntmfs5c673n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 14A/50A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
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Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
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